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138-2613-7660在半导体制造的精密世界里,半导体石墨零件凭借独特性能成为关键支撑,贯穿晶体生长、外延、离子注入等核心工艺。
高纯度是半导体石墨零件的基石。以碳化硅单晶生长炉为例,其坩埚、加热器等石墨部件杂质含量需控制在百万分之五以下。杂质的存在会破坏晶体结构,影响器件性能,高纯石墨确保了晶体生长环境的纯净度,为高质量半导体材料的制备奠定基础。

等静压石墨是半导体制造的常用材料。通过冷等静压成型工艺,其内部结构均匀,大尺寸制品也能实现深度纯化,表面及芯部纯度一致。这种特性使其在承受高温、高电流时性能稳定,如作为CZ直拉单晶炉的加热器,能精准控制熔融硅的温度,保障单晶生长的直径和长度符合要求。
在高温与腐蚀性环境中,石墨零件展现出卓越的稳定性。石墨熔点高达3850±50℃,在等离子蚀刻过程中,能抵抗高温与化学侵蚀,保持基座稳定。其低热膨胀系数,在骤冷骤热环境下尺寸变化小,避免因热应力导致的开裂,确保工艺的连续性和稳定性。
此外,石墨零件的加工精度极高。在制造石墨舟皿时,采用多轴联动加工,以0.01mm精度雕刻承载槽,表面粗糙度Ra≤0.8μm,满足半导体制造对洁净度和定位精度的严苛要求。
从晶体生长到器件封装,半导体石墨零件以高纯度、高稳定性、高精度,为半导体产业的精密制造提供了不可或缺的支撑,推动着行业向更高性能、更高可靠性的方向发展。